位错增殖检测是用于研究材料中位错数量和分布变化的检测方法。
电子显微镜观察：通过高分辨率电子显微镜直接观察位错的形态和分布。
X 射线衍射分析：利用 X 射线衍射技术检测位错引起的晶格畸变。
光学显微镜观察：在光学显微镜下观察材料的组织结构，包括位错。
硬度测试：测量材料的硬度变化，间接反映位错增殖情况。
拉伸试验：分析拉伸过程中位错的运动和增殖。
疲劳试验：检测位错在循环加载下的增殖行为。
电阻率测量：位错的存在会影响材料的电阻率。
磁滞回线测量：通过磁滞回线的变化来评估位错增殖。
热膨胀系数测量：位错增殖可能导致热膨胀系数的改变。
声发射检测：监测位错运动产生的声发射信号。
中子衍射分析：提供关于位错结构的详细信息。
穆斯堡尔谱分析：用于研究位错周围的原子环境。
电子背散射衍射（EBSD）：分析晶体取向和位错分布。
原子力显微镜（AFM）：观察材料表面的微观结构，包括位错。
聚焦离子束（FIB）技术：用于制备位错观察的样品。
正电子湮没谱（PAS）：检测位错附近的缺陷。
二次离子质谱（SIMS）：分析位错区域的元素组成。
激光干涉测量：测量位错引起的表面变形。
热激电流（TSC）测量：研究位错对电荷传输的影响。
电容-电压（C-V）测量：评估位错对半导体电学性能的影响。
深能级瞬态谱（DLTS）：检测位错相关的深能级缺陷。
扫描隧道显微镜（STM）：高分辨率观察位错和表面原子结构。
磁力显微镜（MFM）：检测位错引起的磁场变化。
拉曼光谱分析：提供关于位错周围化学键的信息。
红外光谱分析：分析位错对材料红外吸收的影响。
低温比热测量：研究位错对材料低温热性能的影响。
量子点发光检测：利用量子点的发光特性检测位错。
扫描电容显微镜（SCM）：测量位错区域的电容变化。
霍尔效应测量：评估位错对半导体霍尔系数的影响。
