直接带隙半导体检测-检测仪器
1. 光电子能谱仪(PES):光电子能谱仪是一种能够测量材料电子能带结构、带隙大小和费米能级位置等物理特性的仪器。它通过照射材料表面,并测量光电子的动能和强度来分析材料的电子结构。
2. 紫外可见分光光度计(UV-Vis):紫外可见分光光度计是一种可以测量材料在紫外和可见光波段吸收光强度的仪器。带隙是表示材料吸收较高能量的波长范围,因此通过测量吸收谱线的位置和强度可以推测材料的带隙大小。
3. 微差扫描量热仪(DSC):微差扫描量热仪可以通过测量材料的热容量变化来分析材料的相变情况,包括熔化点和结晶点等。对于半导体材料,通过观察其热容量变化可以推测带隙的大小。
4. 激光光谱仪:激光光谱仪可以通过测量材料的激发光谱来分析其能带结构和带隙大小。激光光谱仪通常使用激发光源照射样品,并测量样品发出的光谱,通过分析光谱的峰值位置和强度可以得到对应的能带结构和带隙大小。