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窄带隙半导体检测-检测方法

1. 光电流谱检测:通过测量样品的光电流谱,可以确定其带隙大小。该检测方法利用样品吸收入射光的能量,使光生载流子激发到导带中产生电流。根据电流强度随能量变化的关系,可以确定带隙大小。

2. 光吸收谱检测:通过测量样品在一定波长范围内的吸收特性,可以得到光子能量与吸收强度的关系。根据光子能量对应的波长和吸收强度的变化规律,可以确定带隙大小。

3. 光致发光谱检测:通过对样品施加光或电子束激发,观察样品在可见光或紫外光区域的发光特性,并分析其能量与波长的关系。根据发光峰对应的能量值,可以确定带隙大小。

4. X射线衍射检测:通过照射样品的X射线,并观察其衍射图样。根据衍射峰的位置和强度,可以确定晶体结构和晶格常数,从而间接得到带隙大小。

窄带隙半导体检测-检测方法
其他检测

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