检测项目
纯度分析：铥元素含量≥99.9%，杂质元素（如Fe、Ni、Cu）≤50ppm
厚度均匀性：厚度公差±0.01mm，局部波动≤0.005mm
表面缺陷检测：划痕长度≤5μm，凹坑直径≤2μm
晶格结构分析：六方密堆积（HCP）结构，晶格常数a=0.353nm，c=0.554nm
元素分布均匀性：铥元素偏析度≤0.3%，氧含量≤200ppm
检测范围
核工业用铥片：中子吸收材料，厚度0.1-1.0mm
半导体掺杂铥片：纯度≥99.99%，厚度≤0.05mm
激光晶体基材：表面粗糙度Ra≤0.1μm，直径50-200mm
医疗放射源封装片：抗辐照强度≥500kGy，密度7.8-8.0g/cm³
科研用单晶铥片：晶向偏差≤0.5°，位错密度≤10^4/cm²
检测方法
纯度分析：ASTM E1479-16（ICP-MS法），GB/T 13747.22-2019
厚度测量：ISO 3611-2010（激光干涉仪法），GB/T 1214.3-2019
表面缺陷检测：ISO 16700-2016（扫描电镜法），GB/T 26645.1-2021
晶格结构分析：ASTM E975-20（X射线衍射法），GB/T 8362-2018
元素分布测试：ISO 22309-2011（EDS面扫描法），GB/T 17359-2020
检测设备
Thermo Scientific iCAP RQ ICP-MS：全元素定量分析，检测限0.01ppm
Keyence VHX-7000数码显微镜：5000倍超景深表面形貌分析
Bruker D8 ADVANCE XRD：2θ角分辨率0.0001°，Cu靶Kα射线
ZEISS Sigma 500 SEM：1nm分辨率背散射电子成像
Mitutoyo LSM-9000激光测厚仪：0.1μm精度，扫描速度1000点/秒
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
