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合金二极管检测

检测项目

反向击穿电压(VBR):测试范围50-2000V±1%

正向导通压降(VF):测量精度±0.05V@1A-10A

反向漏电流(IR):量程0.1nA-10μA±2%

热阻(RθJA):测试条件ΔT=25-150℃±0.5℃

结温耐受性(Tjmax):循环测试-55℃~+175℃±1℃

开关时间特性:上升时间tr≤50ns±5%

检测范围

硅基合金扩散型二极管

锗合金结整流二极管

肖特基势垒合金二极管

快恢复合金封装器件

高温合金焊接型二极管模块

检测方法

ASTM F1234-18:半导体器件反向特性测试规范

IEC 60747-5:2021分立器件环境试验方法

GB/T 6571-2020半导体器件机械和气候试验方法

JESD22-A108F:温度循环加速寿命试验标准

SJ/T 11498-2015半导体二极管热特性测试方法

检测设备

Keysight B1505A功率器件分析仪:支持200A/3kV脉冲测试

Tektronix DPO7054C示波器:带宽5GHz采样率40GS/s

T3Ster MicRed热阻测试系统:分辨率0.01K/W

北京中科光析科学技术研究所【简称:中析研究所】

报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期:7~15工作日,可加急。

资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试:支持定制化试验方案。

售后:报告终身可查,工程师1v1服务。

合金二极管检测
其他检测

中析研究所可进行各种检测分析服务,包括不限于:标准试验,非标检测,分析测试,认证设计,产品验收,质量内控,矢量分析,内部控制,司法鉴定等。可出具合法合规、具有公信力的第三方检测报告。