直接禁带半导体检测是一种常用的方法，用于确定半导体材料的带隙能量大小。
步骤如下：
1. 准备半导体样品：将待测试的半导体材料制备成样品片。
2. 连接测试电路：将样品片与适当的测试电路连接，以便测量其电学性质。
3. 施加电压：在样品片上施加适当的电压，引起载流子的产生和流动。
4. 测量电流和电压：通过测量样品片上的电流和电压，得到材料的电学特性。
5. 绘制伏安特性曲线：根据测量结果，绘制伏安特性曲线，该曲线描述了电流和电压之间的关系。
6. 分析伏安特性曲线：根据伏安特性曲线的形状和变化趋势，确定半导体材料的禁带宽度。
