位错重新排列检测通常涉及对材料中位错结构和行为的分析。
位错密度测量：确定材料中位错的数量。
位错形态观察：使用显微镜等工具观察位错的形状和分布。
位错运动分析：研究位错在材料中的移动和交互作用。
应变测量：评估材料在受力时的应变情况。
硬度测试：测定材料的硬度，间接反映位错的存在和分布。
拉伸性能测试：了解材料在拉伸过程中的强度和延展性。
疲劳测试：评估材料在循环加载下的疲劳寿命。
热稳定性测试：研究位错在不同温度下的稳定性。
电导率测试：测量材料的电导率，与位错有关。
磁导率测试：检测材料的磁导率变化。
X 射线衍射分析：用于确定位错的类型和结构。
中子衍射分析：提供更详细的位错信息。
电子背散射衍射（EBSD）：分析晶体取向和位错分布。
原子力显微镜（AFM）：观察位错的微观结构。
扫描隧道显微镜（STM）：提供原子级别的位错图像。
光学显微镜：初步观察位错的形态。
电子显微镜：提供高分辨率的位错图像。
位错能计算：通过理论模型计算位错的能量。
位错交互作用模拟：使用计算机模拟位错之间的相互作用。
位错攀移检测：观察位错在晶体中的攀移行为。
位错滑移检测：研究位错的滑移过程。
位错塞积检测：确定位错在材料中的塞积情况。
位错增殖检测：监测位错的增殖过程。
位错反应检测：分析位错之间的反应和转化。
位错钉扎检测：检测位错被其他缺陷或杂质钉扎的情况。
位错组态分析：研究位错的整体组态和分布模式。
位错对材料性能的影响评估：分析位错对材料力学、电学等性能的影响。
位错在材料加工过程中的变化检测：观察位错在加工过程中的演化。
位错与其他缺陷的相互作用检测：研究位错与晶界、空位等缺陷的相互作用。
位错在不同材料中的比较研究：对比不同材料中位错的特点和行为。
