检测项目
1. 晶格常数偏差分析：测量精度±0.0005 nm，范围0.2-1.0 nm 2. 位错密度检测：分辨率≥106 cm-2，误差≤5% 3. 残余应力测定：量程-2000至+2000 MPa，步长0.1° 4. 织构取向分布：极图采集角度0-360°，步进精度0.01° 5. 相组成定量分析：检测限0.1 wt%，重复性RSD≤2%检测范围
1. 半导体材料：Si、GaN、SiC单晶衬底缺陷分析 2. 金属合金：钛合金/铝合金相变及再结晶行为表征 3. 陶瓷材料：ZrO2/Al2O3晶界应力分布 4. 高分子材料：PE/PP结晶度及分子链取向测定 5. 薄膜材料：ITO/氮化硅薄膜厚度与应力耦合分析检测方法
1. ASTM E112-13：晶粒度测定电子背散射衍射法 2. ISO 22262-3:2017：残余应力X射线衍射检测规范 3. GB/T 13298-2015：金属显微组织检验方法 4. ASTM E975-13：织构系数定量分析方法 5. GB/T 4335-2013：钢的连续冷却转变曲线测定检测设备
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
