检测项目
反向击穿电压（VBR）：测试范围50-2000V±1%
正向导通压降（VF）：测量精度±0.05V@1A-10A
反向漏电流（IR）：量程0.1nA-10μA±2%
热阻（RθJA）：测试条件ΔT=25-150℃±0.5℃
结温耐受性（Tjmax）：循环测试-55℃~+175℃±1℃
开关时间特性：上升时间tr≤50ns±5%
检测范围
硅基合金扩散型二极管
锗合金结整流二极管
肖特基势垒合金二极管
快恢复合金封装器件
高温合金焊接型二极管模块
检测方法
ASTM F1234-18:半导体器件反向特性测试规范
IEC 60747-5:2021分立器件环境试验方法
GB/T 6571-2020半导体器件机械和气候试验方法
JESD22-A108F:温度循环加速寿命试验标准
SJ/T 11498-2015半导体二极管热特性测试方法
检测设备
Keysight B1505A功率器件分析仪：支持200A/3kV脉冲测试
Tektronix DPO7054C示波器：带宽5GHz采样率40GS/s
T3Ster MicRed热阻测试系统：分辨率0.01K/W
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
