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不完全位错检测

检测项目

1.位错密度测定:测量范围10^4-10^12cm^-2,误差≤5%

2.Burgers矢量分析:分辨率达0.1nm级矢量分量测定

3.位错线取向角测量:角度分辨率0.1,测量范围0-180

4.层错能计算:基于扩展位错宽度测量,精度10mJ/m

5.位错运动激活能测试:温度范围-196℃至1200℃,应力分辨率1MPa

6.位错网络拓扑分析:三维重构精度达5nm体素尺寸

检测范围

1.金属合金:包括铝合金(AA2000/7000系列)、钛合金(Ti-6Al-4V等)、镍基高温合金(Inconel718)

2.半导体材料:硅单晶(<100>/<111>取向)、GaN外延层、碳化硅衬底

3.陶瓷材料:氧化铝(Al₂O₃)、氮化硅(Si₃N₄)、压电陶瓷(PZT)

4.高分子结晶材料:聚乙烯(HDPE/UHMWPE)、聚丙烯(β-PP)球晶结构

5.纳米复合材料:碳纳米管增强金属基复合材料、石墨烯/陶瓷层状结构

检测方法

1.ASTME112-13:晶粒度测定与位错密度关联分析方法

2.ISO24173:2009:电子背散射衍射(EBSD)测定晶体取向标准

3.GB/T4334-2020:金属材料应力腐蚀试验中间体位错观测规范

4.ASTMF394-78(2021):硅片滑移位错密度测试标准方法

5.ISO16700:2016:扫描电镜操作与图像解析通则

6.GB/T3488.2-2018:硬质合金位错密度X射线衍射线形分析法

检测设备

1.场发射透射电镜:JEOLJEM-ARM300F,配备原子分辨率级STEM探头

2.X射线衍射仪:BrukerD8ADVANCE,配置Hi-Star二维探测器

3.电子背散射衍射系统:OxfordInstrumentsSymmetryS2EBSD探测器

4.激光共聚焦显微镜:KeyenceVK-X3000系列,Z轴分辨率1nm

5.高温拉伸台:GatanModel652,最高温度1300℃原位观测系统

6.聚焦离子束系统:ThermoFisherScios2DualBeam,定位精度10nm

7.X射线拓扑仪:RigakuXRTmicron,空间分辨率5μm

8.原子力显微镜:BrukerDimensionIconPT,峰值力轻敲模式

9.同步辐射光源线站:上海光源BL14B1微束衍射实验站

10.低温样品台:GatanModel636,LN₂冷却至-196℃

北京中科光析科学技术研究所【简称:中析研究所】

报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期:7~15工作日,可加急。

资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试:支持定制化试验方案。

售后:报告终身可查,工程师1v1服务。

不完全位错检测
其他检测

中析研究所可进行各种检测分析服务,包括不限于:标准试验,非标检测,分析测试,认证设计,产品验收,质量内控,矢量分析,内部控制,司法鉴定等。可出具合法合规、具有公信力的第三方检测报告。