再结晶织构检测是一项用于评估材料再结晶过程中晶体取向和晶粒形貌的测试方法。
极轴织构测试：通过X射线衍射或电子背散射技术，测量材料晶体的取向分布，了解再结晶晶粒在材料中的取向特征。
晶体尺寸测量：使用显微镜或电子显微镜，对再结晶晶粒进行观察和测量，了解晶粒的尺寸和形状的变化。
晶粒取向测量：利用电子背散射衍射技术或EBSP，测量再结晶晶粒的晶体取向信息，获取晶体取向的分布和变化规律。
晶体纹理测量：通过X射线衍射方法，评估再结晶晶粒的纹理情况，了解晶体的发育方向和取向差异。
格林尼兹角测量：使用电子背散射衍射技术，测量晶界的角度变化，评估晶体的取向差异和晶界的晶结构。
形变晶体取向测量：通过衍射方法，测量再结晶晶粒中形变晶体的取向分布，了解晶体的变形特征和晶界的结构。
再结晶晶粒大小测量：利用图像处理软件，测量再结晶晶粒的尺寸和面积，了解晶体的生长和演变过程。
取向分布函数测量：通过X射线衍射技术或电子背散射方法，测量再结晶晶粒的取向分布函数（ODF），研究晶体的取向特点和晶界的取向关系。
晶粒边界取向差异测量：利用电子背散射技术或X射线衍射方法，测量晶粒边界的取向差异，评估晶界结构和晶体取向的演化过程。
局部再结晶分析：使用显微镜或电子显微镜，观察并分析再结晶晶粒在材料中的分布以及局部再结晶的特点。
晶体取向连续分析：通过电子背散射技术，测量并分析晶体取向在晶界上的连续性和变化情况，揭示晶体取向的演变过程。
晶界能测量：通过计算晶界的能量，评估晶界的稳定性和晶界的结构特点。
晶界移动分析：通过跟踪晶界的移动轨迹和速度，了解晶界的迁移机制和晶体的再结晶过程。
再结晶温度测定：利用热分析仪器，测量材料的热变形温度，确定再结晶的温度范围。
再结晶晶体相分析：使用透射电镜或扫描电镜等仪器，观察并分析再结晶晶粒的晶体相组成和晶体结构特征。
再结晶晶体形貌分析：使用电子显微镜或显微镜等仪器，观察并分析再结晶晶粒的形貌特征，了解晶体的生长和变形过程。
再结晶晶体取向关系分析：通过电子背散射衍射技术和X射线衍射方法，测量并分析再结晶晶粒的取向关系，了解晶体取向的演化和晶界的结构。
晶体取向与应力关系分析：通过应力测量仪器和X射线衍射方法，研究晶体取向和应力的关系，分析晶体的形变和变形过程。
晶体取向与形变机制关系分析：通过电子背散射衍射技术和X射线衍射方法，测量并分析晶体取向与形变机制的关系，了解晶体的变形特性和力学行为。
晶体取向与再结晶动力学关系分析：通过电子背散射衍射技术和X射线衍射方法，研究晶体取向与再结晶动力学的关系，揭示晶体取向演化和再结晶过程的机制。
再结晶晶界特征分析：使用电子显微镜或扫描电镜等仪器，观察并分析再结晶晶界的特征，了解晶界的结构和演变过程。
再结晶晶体形核和生长机制研究：通过显微镜和电子显微镜等仪器，观察并研究再结晶晶体的形核和生长机制，了解晶体的发育和演变过程。
晶颗粒取向关系测定：使用X射线衍射方法，测量晶颗粒的取向关系，分析晶颗粒的生长规律和晶界的取向特点。
晶体取向与机械性能关系分析：通过拉伸试验或硬度测试等力学性能测试手段，研究晶体取向与材料的机械性能关系。
晶体取向优化分析：通过X射线衍射或电子背散射技术，评估晶体取向的优化效果，确定再结晶条件和参数。
再结晶窗口分析：通过测量晶粒尺寸和取向分布，确定再结晶窗口，评估再结晶的可行性。
局部取向差异分析：通过电子背散射衍射技
