电容-电压特性测试：通过测量突变结的电容随电压的变化，来确定突变结的特性。
电流-电压特性测试：测量突变结的电流随电压的变化，以了解其电学性能。
扫描电子显微镜（SEM）：用于观察突变结的表面形貌和结构。
原子力显微镜（AFM）：可提供突变结表面的高分辨率图像。
X 射线衍射（XRD）：分析突变结的晶体结构。
光致发光（PL）：检测突变结的发光特性。
二次离子质谱（SIMS）：用于分析突变结中的元素组成和分布。
深能级瞬态谱（DLTS）：测量突变结中的深能级缺陷。
热激电流（TSC）：研究突变结中的陷阱和缺陷。
