完全位错检测通常包括以下项目：
晶体结构分析：通过 X 射线衍射等方法确定晶体的结构和位错类型。
位错密度测量：评估晶体中位错的数量和分布。
位错形态观察：使用电子显微镜等工具观察位错的形态和特征。
位错运动分析：研究位错在应力作用下的运动行为。
位错交互作用研究：探讨位错之间的相互作用和影响。
晶体生长过程中的位错检测：监控晶体生长过程中位错的形成和演变。
材料加工对位错的影响评估：分析加工过程中位错的变化和对材料性能的影响。
位错与缺陷的关系研究：探究位错与其他晶体缺陷的关联。
位错的热力学性质分析：研究位错的能量和稳定性。
位错的动力学性质研究：了解位错的运动机制和速度。
材料强度与位错的关系评估：分析位错对材料强度和韧性的影响。
位错与塑性变形的关系研究：探讨位错在塑性变形过程中的作用。
位错与晶体缺陷的协同作用研究：研究位错与其他缺陷的协同效应。
位错的电学性质分析：评估位错对材料电学性能的影响。
位错的光学性质研究：探讨位错对材料光学性能的作用。
位错的磁学性质分析：研究位错对材料磁学性能的影响。
位错的热学性质研究：了解位错的热学行为和热稳定性。
位错的化学性质分析：评估位错对材料化学性能的影响。
位错的表面性质研究：探讨位错在材料表面的分布和特性。
位错的疲劳性能分析：研究位错对材料疲劳寿命的影响。
位错的腐蚀性能分析：评估位错对材料耐腐蚀性能的影响。
位错的辐射损伤性能分析：研究位错在辐射环境下的行为和损伤机制。
位错的热稳定性分析：评估位错在高温环境下的稳定性。
位错的相变行为研究：探讨位错在相变过程中的作用和影响。
位错的复合材料性能分析：研究位错对复合材料性能的影响。
位错的纳米材料性能分析：评估位错对纳米材料性能的影响。
位错的生物材料性能分析：探讨位错对生物材料性能的作用。
