X 射线衍射分析：用于检测外延硅的晶体结构和晶格参数。
扫描电子显微镜（SEM）：可观察外延硅的表面形貌和微观结构。
原子力显微镜（AFM）：用于测量外延硅表面的粗糙度和形貌。
光致发光光谱（PL）：检测外延硅的发光特性和缺陷。
二次离子质谱（SIMS）：分析外延硅中的杂质分布。
霍尔效应测量：确定外延硅的载流子浓度和迁移率。
电阻率测量：评估外延硅的电学性能。
电容-电压（C-V）测量：用于研究外延硅的电学特性。
X 射线荧光光谱（XRF）：检测外延硅中的元素成分。
傅里叶变换红外光谱（FTIR）：分析外延硅中的化学键和官能团。
