X 射线衍射仪：用于分析外延硅的晶体结构和晶格参数。
扫描电子显微镜：可以观察外延硅的表面形貌和微观结构。
原子力显微镜：用于测量外延硅的表面粗糙度和微观形貌。
霍尔效应测试仪：用于测量外延硅的电学性质，如载流子浓度和迁移率。
光致发光光谱仪：可以分析外延硅的光学性质，如发光波长和强度。
二次离子质谱仪：用于分析外延硅中的杂质和元素分布。
四点探针测试仪：用于测量外延硅的电阻率。
傅里叶变换红外光谱仪：可用于分析外延硅中的化学键和官能团。
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