位错侵蚀坑检测通常使用扫描电子显微镜（SEM）或透射电子显微镜（TEM）等仪器。
SEM 可以用于观察样品表面的微观结构和位错侵蚀坑的形态。它通过电子束扫描样品表面，产生二次电子图像，提供高分辨率的表面形貌信息。
TEM 则可以用于更深入地分析位错侵蚀坑的结构和晶体缺陷。它通过透射电子束穿过样品，形成衍射图像和高分辨率的晶格图像，能够揭示位错的细节和晶体结构。
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中析研究所
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