载流子迁移率（carrier mobility）是一种测量半导体材料中载流子（电子或空穴）在外加电场下移动能力的物理量。以下是几种常用的载流子迁移率检测方法：
1. 霍尔效应测量法：通过测量在外加磁场和电场作用下产生的霍尔电流，计算出材料中的载流子迁移率。该方法适用于金属、半导体和导电液体的载流子迁移率测量。
2. 恢复时间测量法：通过测量材料在加上脉冲电场后恢复到初始状态所需的时间来推测载流子迁移率。该方法适用于薄膜材料和有机半导体材料的载流子迁移率测量。
3. 场效应晶体管（FET）测量法：通过制作并测量场效应晶体管的电流-电压特性曲线来推测载流子迁移率。该方法适用于有机半导体和硅基材料的载流子迁移率测量。
4. 非线性电阻测量法：通过测量材料在外加电压下的电阻随电压变化的曲线，结合电子运输理论计算得到载流子迁移率。该方法适用于纳米材料和低维材料的载流子迁移率测量。
5. 时间域电流测量法：通过测量载流子在电场作用下从高场区域向低场区域传输的时间来计算载流子迁移率。该方法适用于高电场条件下的载流子迁移率测量。
