占有能带检测是一种用于研究材料电子结构的方法。它可以通过测量电子在能带中的占有情况，来了解材料的能带结构和电子分布。
以下是一些常用的占有能带检测方法：
1. ARPES（角分辨光电子能谱）：该方法通过将光子照射到材料表面，并测量反射出的光电子的能量和角度来研究材料能带的占有情况。通过ARPES可以得到能带的能量、动量和占有态密度等信息。
2. XPS（X射线光电子能谱）：该方法使用X射线激发材料表面的电子，测量反射出的光电子的能量谱，从而得到材料的能带结构和占有情况。XPS可以测量材料的化学成分、价态以及表面电荷状态。
3. UPS（紫外光电子能谱）：该方法使用紫外光激发材料表面的电子，测量反射出的光电子的能量谱，从而得到材料能带的信息。UPS主要用于研究材料的价带结构和占有态的能级。
4. STM（扫描隧道显微镜）：该方法通过在材料表面扫描探针和样品表面之间的隧道电流来研究材料的电子结构。STM可以提供单原子尺度的电子结构信息，包括能带的形状和分布。
5. VUV光电子能谱：该方法使用真空紫外光子激发材料表面的电子，测量反射出的光电子的能量谱，从而得到材料能带的信息。VUV光电子能谱通常可以提供更高的能带分辨率和更详细的电子结构信息。
这些方法都可以用于不同类型的材料，如金属、半导体和绝缘体等，来揭示材料的能带结构和占有情况，从而对材料的电子性质进行深入研究。
