检测项目
载流子浓度：测量范围1×1010-1×1020 cm-3，精度±3%
迁移率检测：霍尔迁移率范围10-105 cm2/(V·s)，温度范围77-400K
载流子寿命：纳秒至毫秒级时间分辨率，误差≤5%
扩散系数：检测范围0.1-100 cm2/s，空间分辨率1μm
复合率分析：表面复合速率10-4-107 cm/s，体复合率10-6-103 s-1
检测范围
半导体单晶材料：硅(Si)、砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)
光伏材料：钙钛矿薄膜、多晶硅片、CIGS薄膜
导电高分子：PEDOT:PSS、聚苯胺薄膜
纳米材料：量子点、碳纳米管薄膜、二维材料（石墨烯/MoS2）
电子器件：MOSFET、LED外延片、太阳能电池组件
检测方法
霍尔效应测试：ASTM F76、GB/T 1551-2021
光电导衰减法：IEC 60904-10、GB/T 25076-2020
微波光电导法：SEMI MF1530、ISO 18552:2015
表面光电压谱：ASTM E1125、GB/T 18910.61-2012
时间分辨荧光光谱：ISO 22737:2021、GB/T 37843-2019
检测设备
霍尔效应测试系统：Lakeshore 8400系列，支持0.05T-2T磁场，温度控制±0.1K
瞬态光电导测试仪：Semilab WT-2000，时间分辨率0.1ns，波长覆盖300-1700nm
微波检测装置：Keysight N5227B PNA，频率范围10MHz-67GHz，动态范围130dB
低温探针台：Janis Research ST-500，温度范围4K-475K，真空度≤1×10-6 Torr
原子力电学模块：Bruker Dimension Icon，导电AFM模式，电流分辨率0.1pA
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
