检测项目
电离起始温度（300-1500°C，±2°C控制精度）
饱和电离电流（0.1-500μA，分辨率0.01nA）
活化能计算（0.5-5.0eV，误差≤±3%）
载流子浓度（1×10^15-1×10^21 cm^-3）
热稳定性指数（T50值测定，温度范围800-1600°C）
检测范围
半导体材料：GaN、SiC、Ga₂O₃等宽禁带半导体
高温合金：镍基合金、钴基合金、钛铝合金
陶瓷材料：Al₂O₃、ZrO₂、Si₃N₄结构陶瓷
功能薄膜：ITO透明导电膜、AZO阻隔膜
聚合物复合材料：碳纤维/环氧树脂、石墨烯/PEEK
检测方法
ASTM E1256-17 高温电离特性热重分析法
ISO 22007-6:2014 瞬态平面热源法载流子测试
GB/T 13301-2019 材料电离活化能测定标准
ASTM F76-08(2020) 半导体材料霍尔效应测试
GB/T 30834-2014 热致电离四探针法
检测设备
LFA 467 HyperFlash®：激光闪射法热扩散系数测定（-120°C至2000°C）
STA 449 F5 Jupiter®：同步热分析仪（TG-DSC同步测量，最高1550°C）
Keithley 2450 SourceMeter®：高精度源表（10fA分辨率，±0.012%基本精度）
HCS-402高温探针台：四探针电阻测试（RT-600°C，真空环境10^-3 Pa）
EMPIRE III微波阻抗仪：非接触载流子浓度检测（频率1-3GHz）
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
