多晶锭块检测
检测项目
1. 晶体结构分析:采用XRD测定晶面间距(d值范围0.1-3.0nm),晶粒尺寸(50-200μm)及取向分布(偏差角≤5°)
2. 杂质含量检测:通过GD-MS测定B、P等掺杂元素浓度(精度0.01ppb),金属杂质总量≤1ppm
3. 密度测试:阿基米德法测量相对密度(≥99.5%),孔隙率≤0.3%
4. 显微硬度测试:维氏硬度计加载500gf,测定HV值(800-1200)
5. 热膨胀系数测定:DIL法在20-1000℃范围内测量CTE(5.5-7.2×10⁻⁶/K)
检测范围
1. 光伏用多晶硅锭:纯度≥99.9999%,直径200-800mm
2. 硬质合金烧结锭:WC-Co系材料,密度14.0-15.0g/cm³
3. 半导体砷化镓锭:位错密度≤500cm⁻²
4. 核级锆合金铸锭:Hf含量≤0.01%,氧含量≤0.15%
5. 高温合金母锭:Ni基超合金,γ'相占比≥40%
检测方法
1. ASTM E112-13 晶粒度测定标准
2. ISO 17025:2017 实验室管理体系规范
3. GB/T 4336-2016 碳素钢和中低合金钢火花源光谱分析法
4. ASTM B311-17 硬质合金密度测试标准
5. GB/T 14265-2021 半导体材料热性能测试方法
检测设备
1. Bruker D8 ADVANCE X射线衍射仪:配备LynxEye阵列探测器,角度分辨率0.0001°
2. Thermo Scientific iCAP RQ ICP-MS:检出限达ppt级,质量范围2-260amu
3. Mitutoyo HM-200显微硬度计:最大载荷2000gf,光学放大倍率400×
4 Netzsch DIL 402 C热膨胀仪:温度范围-160℃至1600℃,分辨率0.05nm
5. Oxford Instruments Symmetry EBSD系统:空间分辨率50nm,采集速度3000点/秒
6. JEOL JXA-8530F电子探针:波长分辨率5eV,束流稳定性±0.1%/h
7. Agilent 5500 AFM原子力显微镜:Z轴分辨率0.1nm,扫描范围90μm
8. Keyence VHX-7000数码显微镜:景深合成技术实现20mm全视场清晰成像
9. Instron 5985万能试验机:最大载荷150kN,应变测量精度±0.5%
10. PerkinElmer STA8000同步热分析仪:同步测量TG/DSC信号,升温速率0.01-100℃/min
北京中科光析科学技术研究所【简称:中析研究所】
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。