检测项目
1. 正向压降（VF）测试：测量电流IF=1A时的导通压降值（0.3-1.2V），精度±1%
2. 反向击穿电压（VRRM）测试：施加反向电压至10kV范围（视型号而定），漏电流阈值≤1μA
3. 热阻（Rth）分析：结温Tj=25-175℃区间测量热阻值（0.5-50K/W），误差±3%
4. 反向恢复时间（trr）测定：测试条件IF=10A→0A时恢复时间（10ns-1μs），分辨率0.1ns
5. 浪涌电流（IFSM）耐受：施加8.3ms半波脉冲电流（50-5000A），监测器件失效临界点
检测范围
1. 硅基整流二极管（1N4007系列/FR307系列）
2. 肖特基二极管（MBR系列/SKD系列）
3. 桥式整流器（GBJ/GBU/KBP封装）
4. 快恢复二极管（RHRG30系列/STTH系列）
5. 高压硅堆（2CL/2DL系列）
检测方法
ASTM F28-2018规范半导体器件热阻测量方法
IEC 60747-1:2022规定反向恢复时间测试流程
GB/T 4023-2015电力整流器通用技术要求
JESD22-A108F标准用于温度循环可靠性测试
GB/T 4937-2018半导体器件机械气候试验方法
检测设备
Keysight B1505A功率器件分析仪：支持3000V/1500A参数测试
Tektronix DPO7254示波器：4GHz带宽用于trr精确测量
Chroma 17011可编程直流电源：输出精度±0.05% @100A
Thermo Scientific T3Ster热阻测试系统：μs级瞬态响应分析
ESPEC PL-3K环境试验箱：温度范围-70℃~+180℃
HIOKI RM3545电阻计：四线法测量接触电阻（0.1μΩ分辨率）
Agilent 4294A阻抗分析仪：40Hz-110MHz频率特性测试
Fluke Ti450红外热像仪：非接触式结温监测（±1℃精度）
EM TEST DCS 500N10浪涌发生器：10kV/50kA脉冲输出能力
Gossen Metrawatt SECULIFE STPro绝缘测试仪：5000V DC耐压测试
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
