检测项目
1.加速电压稳定性：工作范围5-30kV，波动值≤0.1kV
2.电子束束斑直径：可调范围1-10nm（STEM模式）
3.样品厚度控制：薄区厚度50-200nm（FIB制备）
4.元素分析精度：EDS检测限0.1wt%（加速电压20kV）
5.晶格分辨率：HRTEM点分辨率≤0.14nm
检测范围
1.半导体材料：硅基芯片、III-V族化合物（GaN/AlGaN）
2.金属材料：高温合金单晶叶片、纳米晶金属薄膜
3.陶瓷材料：多层陶瓷电容器（MLCC）、压电陶瓷
4.高分子复合材料：碳纤维增强聚合物界面分析
5.生物医学材料：骨组织植入物表面改性层表征
检测方法
ASTME2809-22《电子显微镜试样制备标准指南》
ISO16700:2016《微束分析-扫描电镜校准方法》
GB/T27788-2020《微束分析扫描电镜能谱仪定量分析通则》
GB/T30067-2013《纳米薄膜厚度测量方法》
ISO21363:2020《纳米技术-透射电镜颗粒尺寸测量》
检测设备
1.场发射扫描电镜（FE-SEM）：HitachiSU5000（二次电子分辨率0.8nm@15kV）
2.聚焦离子束系统（FIB）：ThermoScientificHeliosG4UX（离子束分辨率3nm@30kV）
3.透射电子显微镜（TEM）：JEOLJEM-ARM300F（球差校正型，点分辨率0.08nm）
4.X射线能谱仪（EDS）：OxfordInstrumentsX-MaxN150T（硅漂移探测器）
5.电子背散射衍射仪（EBSD）：BrukereFlashFS（全自动晶体取向分析）
6.离子减薄仪：GatanPIPSII695（精确控制减薄速率至0.1nm/s）
7.超薄切片机：LeicaEMUC7（切片厚度10-100nm可调）
8.真空镀膜仪：QuorumQ150TES（碳/金镀层厚度控制2nm）
9.低温样品台：GatanModel636（工作温度-180℃至+100℃）
10.三维重构系统：ThermoScientificAvizo9.7（ETOMO模块支持断层成像）
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
