检测项目
1.晶格缺陷密度：测量范围为10-10⁸cm⁻，精度5%
2.残余应力分布：测试范围2000MPa，空间分辨率0.1μm
3.表面粗糙度（Ra）：测量范围0.01-100μm，符合ISO4287标准
4.电学性能变化：载流子迁移率测试精度3%，电阻率范围10⁻⁶-10Ωcm
5.热稳定性分析：TG-DSC联用测试温度范围25-1500℃，升温速率0.1-50℃/min
检测范围
1.半导体材料：硅晶圆（直径≤300mm）、GaN外延片（厚度2-50μm）
2.金属合金：钛合金航空部件（尺寸≤500mm）、镍基高温合金涡轮叶片
3.高分子材料：医用级PEEK植入物（厚度0.5-20mm）、PTFE密封件
4.陶瓷材料：氧化铝基板（纯度≥99.6%）、氮化硅轴承球（直径1-50mm）
5.复合材料：碳纤维/环氧树脂层压板（层数≤100）、金属基复合材料散热片
检测方法
1.X射线衍射法：ASTME1426（晶格参数测定）、GB/T8362（残余应力分析）
2.扫描电子显微镜法：ISO16700（表面形貌表征）、GB/T27788（微区成分分析）
3.原子力显微镜法：ISO11039（纳米级粗糙度测量）、ASTME2859（力学性能测试）
4.四探针法：GB/T1551（半导体电阻率测试）、ASTMF84（薄层电阻测量）
5.热重-差示扫描量热法：ISO11358（热稳定性分析）、GB/T19466（相变温度测定）
检测设备
1.X射线衍射仪：ThermoScientificARLEQUINOX3000（晶格参数分析）
2.场发射扫描电镜：ZeissSigma500（纳米级表面形貌观测）
3.原子力显微镜：BrukerDimensionIcon（皮牛级力学性能测试）
4.四探针测试仪：LucasLabsPro4-4400N（宽范围电阻率测量）
5.TG-DSC联用仪：NETZSCHSTA449F5Jupiter（同步热分析）
6.X射线光电子能谱仪：KratosAXISSupra（表面化学态分析）
7.激光共聚焦显微镜：OlympusLEXTOLS5000（三维表面重构）
8.正电子湮没谱仪：FastlabPAS-3000（空位型缺陷检测）
9.纳米压痕仪：AgilentG200（微区硬度模量测试）
10.傅里叶红外光谱仪：PerkinElmerFrontierNIR（分子结构表征）
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
