能带结构分析：通过各种实验技术（如角分辨光电子能谱ARPES）来确定材料的电子能带结构。
价带顶和导带底的确定：通过实验方法确定材料的价带顶和导带底的位置。
能带宽度测量：测量半导体材料的能带宽度，这对于理解其电子性质至关重要。
密度泛函理论（DFT）计算：使用DFT计算来预测和解释材料的能带结构。
X射线光电子能谱（XPS）：用于测量材料表面的电子态和化学组成。
紫外光电子能谱（UPS）：用于研究材料的价带结构。
光学吸收光谱：通过测量材料对光的吸收来推断能带间隙。
反射光谱：分析材料对光的反射特性，以了解其电子结构。
椭圆偏振光谱：测量材料的光学性质，如折射率和消光系数，与能带结构相关。
拉曼光谱：通过拉曼散射研究材料的振动模式和电子能带。
磁圆二色性（MCD）：通过测量圆偏振光的吸收差异来研究材料的能带结构。
光电导衰减：测量材料在光照下的光电导衰减特性，以了解其电子动力学。
时间分辨光谱：通过时间分辨技术研究材料的电子动力学和能带结构。
量子阱和超晶格结构的能带调控：研究量子阱和超晶格中能带结构的工程化。
电子有效质量测量：通过霍尔效应测量确定电子在材料中的有效质量。
热电功率测量：通过测量热电功率来研究材料的电子能带结构。
肖特基势垒高度测量：通过肖特基接触测量电子从金属到半导体的注入势垒。
金属-半导体接触特性分析：研究金属与半导体接触处的电子结构和能带弯曲。
p-n结特性分析：通过p-n结的电流-电压特性来研究材料的能带结构。
MOS电容特性分析：通过金属-氧化物-半导体（MOS）电容的频率特性来研究半导体的能带结构。
量子点的能级测量：研究量子点中电子的能级分布和量子限制效应。
量子隧穿效应研究：通过量子隧穿实验来探索材料的能带结构。
电子束诱导电流（EBIC）：使用电子束在半导体中激发电流，以研究缺陷和能带结构。
光致发光谱（PL）：通过测量光激发下的材料发光来研究其能带结构。
深能级瞬态谱（DLTS）：用于检测和表征半导体中的深能级缺陷。
X射线衍射（XRD）：虽然主要用于晶体结构分析，但也可以用来推断能带结构。
透射电子显微镜（TEM）：通过高分辨率成像技术研究材料的微观结构，与能带结构相关。
