外延堆垛层错检测主要涉及对半导体外延层中堆垛层错的检测和分析，以确保外延层的质量和性能符合要求。
显微镜观察：使用光学显微镜或电子显微镜对外延层进行直接观察，寻找堆垛层错的存在。
X 射线衍射（XRD）：分析外延层的晶体结构，检测堆垛层错引起的衍射峰变化。
扫描电子显微镜（SEM）：提供高分辨率的图像，用于观察堆垛层错的形态和分布。
原子力显微镜（AFM）：测量外延层表面的形貌和粗糙度，有助于发现堆垛层错。
光致发光（PL）：检测外延层的发光特性，堆垛层错可能会影响发光强度和波长。
电学性能测试：如电阻率、霍尔效应等，评估堆垛层错对外延层电学性能的影响。
化学蚀刻：通过特定的化学蚀刻剂揭示堆垛层错的位置和形态。
二次离子质谱（SIMS）：分析外延层中的元素组成，检测堆垛层错区域的化学变化。
拉曼光谱：提供关于晶体结构和化学键的信息，有助于检测堆垛层错。
低温光致发光（LTPL）：在低温下进行光致发光测试，更敏感地检测堆垛层错。
高分辨率 X 射线衍射（HRXRD）：提供更详细的晶体结构信息，用于精确检测堆垛层错。
透射电子显微镜（TEM）：具有极高的分辨率，可直接观察堆垛层错的原子结构。
电子背散射衍射（EBSD）：分析晶体取向和堆垛层错的分布。
荧光显微镜：利用荧光标记技术检测堆垛层错。
阴极发光（CL）：观察外延层在电子束激发下的发光现象，检测堆垛层错。
能量色散 X 射线谱（EDS）：分析外延层中的元素分布，辅助检测堆垛层错。
选区电子衍射（SAED）：确定堆垛层错区域的晶体结构。
扩展电阻测试：测量外延层的电阻分布，间接反映堆垛层错的存在。
光电流测试：检测光照射下外延层产生的电流，评估堆垛层错的影响。
表面平整度测试：检查外延层表面的平整度，堆垛层错可能导致表面不平整。
热稳定性测试：评估外延层在高温下的稳定性，堆垛层错可能影响热稳定性。
机械性能测试：如硬度、弹性模量等，检测堆垛层错对外延层机械性能的影响。
缺陷密度计算：通过统计堆垛层错的数量，评估外延层的缺陷密度。
晶体质量评估：综合多种检测方法，全面评估外延层的晶体质量。
工艺参数分析：检查外延生长过程中的工艺参数，寻找可能导致堆垛层错的因素。
对比样品分析：与已知无堆垛层错的样品进行对比，确定检测结果的准确性。
长期稳定性测试：监测外延层在长时间使用后的性能变化，评估堆垛层错的影响。
