电子显微镜观察法：通过电子显微镜直接观察材料中的位错形态和分布。
X 射线衍射法：利用 X 射线衍射图谱分析位错对晶体结构的影响。
原子力显微镜法：测量材料表面的微观形貌，间接反映位错的存在。
磁力显微镜法：检测材料的磁性变化，以确定位错的位置和数量。
电阻率测量法：位错会影响材料的电阻率，通过测量电阻率的变化来检测位错。
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中析研究所
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