X 射线衍射法：通过分析晶体结构和晶格参数来检测外延生长结的质量和结构。
扫描电子显微镜（SEM）：用于观察外延生长结的表面形貌和微观结构。
原子力显微镜（AFM）：提供高分辨率的表面形貌图像，可检测外延生长结的平整度和粗糙度。
光致发光谱（PL）：用于评估外延生长结的光学性能和缺陷特性。
霍尔效应测量：确定外延生长结中的载流子浓度和迁移率。
二次离子质谱（SIMS）：分析外延生长结中的元素组成和杂质分布。
电阻测量：检测外延生长结的电阻特性。
电容-电压（C-V）测量：评估外延生长结的电学性能和掺杂分布。
