扫描电子显微镜（SEM）：用于观察外延结的表面形貌和结构。
X 射线衍射（XRD）：分析外延结的晶体结构和取向。
原子力显微镜（AFM）：测量外延结的表面粗糙度和形貌。
拉曼光谱：研究外延结的分子结构和振动模式。
霍尔效应测量：确定外延结的电学性质，如载流子浓度和迁移率。
电容-电压（C-V）测量：评估外延结的电学特性，如掺杂浓度和界面态密度。
光致发光（PL）：检测外延结的发光性能和光学特性。
二次离子质谱（SIMS）：分析外延结中的元素组成和掺杂分布。
四点探针测量：测量外延结的电阻和电阻率。
透射电子显微镜（TEM）：提供外延结的微观结构和晶体缺陷信息。
